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專為強化諧振拓撲運作性能打造,英飛凌推出全新 650 V CoolMOS? CFD7

作者:時間:2020-10-09來源:電子產品世界收藏

在工業應用 SMPS 的設計上,最新的技術趨勢會將高效率、高功率密度及總線電壓上升的需求作整體考慮,也因此觸發了對 650V擊穿電壓功率器件的需求。英飛凌科技股份有限公司旗下 650 V CoolMOS? CFD7 產品系列即可滿足上述需求。此器件適用于軟切換應用的諧振拓撲,例如通信電源、服務器、太陽能和非車載的電動車充電。

本文引用地址:http://www.303263.tw/article/202010/419046.htm

新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍,且為 CoolMOS CFD2 的后繼產品。新款 650 V 產品可搭配 LLC 和零電壓切換相移全橋拓撲,較前幾代產品能提供多項優勢。本產品系列擊穿電壓提升 50 V,搭配整合高速本體二極管技術及更出色的切換效能,非常適合用于當代設計。極低的反向恢復電荷加上優異的熱性能,也添加了更多優勢。

開關損耗與 RDS(on) 過熱相依性皆大幅降低,此產品系列具備非常優異的硬式整流耐用度。由于閘極電荷 (Qg) 改善,加上快速的開關性能,650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整個負載范圍的效率。在主要的SMPS應用中,相較于競爭產品,這些 MOSFET提供絕佳的輕載效率,滿載效率也有所提升。此外,同級最低 RDS(on) 也能讓客戶能以極具競爭力的價格,提升 SMPS 的功率密度。

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由于閘極電荷 (Qg) 改善,加上快速的開關性能,650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整個負載范圍的效率。在主要的SMPS應用中,相較于競爭產品,這些 MOSFET提供絕佳的輕載效率,滿載效率也有所提升。此外,同級最低 RDS(on) 也能讓客戶能以極具競爭力的價格,提升 SMPS 的功率密度。

供貨情況

TO-220、TO-247 及 TO-247 4 引腳封裝的 650 V CoolMOS CFD7 現已接受訂購。



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